高能重离子径迹结构对单粒子翻转的影响

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	高能重离子径迹结构对单粒子翻转的影响
	韩建伟
刊名	空间科学学报
	2000
卷号	20 期号:4 页码:333-339
关键词	高能重离子径迹结构单粒子翻转微电子芯片
ISSN号	0254-6124
其他题名	EFFECTS OF TRACK STRUCTURE OF HIGH-ENERGY HEAVY IONS ON SINGLE EVENT UPSET
通讯作者	北京8701信箱
中文摘要	利用解析法计算了高能重离子的径迹结构,通过Monte Carlo方法研究了径迹结构对微电子芯片单粒子翻转的影响.结果表明,考虑了径迹结构的影响后,当离子能量较高时,具有小尺寸灵敏单元、低翻转阈值的芯片的翻转截面较传统的LET描述结果小许多;当离子更重量,这种差别对灵敏单元尺寸较大、翻转阈值值较高的芯片也变得较明显.即离子径迹结构的影响是通过其有效地沉积到灵敏单元中的能量与翻转阈值相比较而表现出来的
英文摘要	The track structure of high-energy heavy ions was calculated in this paper and using Monte Carlo method, effects of the track structure on single event upset was studied.Taking into account the track structure,devices with small sensitive cell and low upset threshold show lower upset cross sections and upset rates,when tom-pared with LET calculation.When ion becomes heavier,this decrease is remarkable even for devices with moderate dimension sensitive cell and higher upset threshold.In general,ion track shows effect when effective deposited energy is comparable with upset threshold. High-energy heavy ions can penetrate into thick material,in addition large dimensional track has chance to deposit enough energy in neighboring cells simultaneously. Both of these two cases can give rise to multiple-bit upsets.And this multiple-bit upsets effect can't be calculated with LET.
学科主题	空间环境
收录类别	CSCD
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:688215
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.cssar.ac.cn/handle/122/95]
专题	国家空间科学中心_保障部/保障与试验验证中心
推荐引用方式 GB/T 7714	韩建伟. 高能重离子径迹结构对单粒子翻转的影响[J]. 空间科学学报,2000,20(4):333-339.
APA	韩建伟.(2000).高能重离子径迹结构对单粒子翻转的影响.空间科学学报,20(4),333-339.
MLA	韩建伟."高能重离子径迹结构对单粒子翻转的影响".空间科学学报 20.4(2000):333-339.