脉冲激光诱发单粒子效应的机理

	脉冲激光诱发单粒子效应的机理
	黄建国 ; 韩建伟
刊名	中国科学G辑
	2004
卷号	34 期号:2 页码:121-130
关键词	单粒子效应脉冲激光半导体器件
ISSN号	1672-1780
通讯作者	北京8701信箱
中文摘要	利用脉冲激光模拟单粒子效应是近年来兴起的一种新型的单粒子效应地面模拟手段, 研究了皮秒脉冲激光与半导体器件相互作用的方式以及诱发单粒子效应的机理, 并针对实验中常用的Nd:YAG和Ti:Sapphire两种激光和硅半导体器件进行了计算及比较分析, 同时根据计算结果提出了模拟实验中脉冲激光参数选择的主要依据和典型的参数范围.
学科主题	空间环境
资助信息	中国科学院十五预先研究基金
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.cssar.ac.cn/handle/122/74]
专题	国家空间科学中心_保障部/保障与试验验证中心
推荐引用方式 GB/T 7714	黄建国,韩建伟. 脉冲激光诱发单粒子效应的机理[J]. 中国科学G辑,2004,34(2):121-130.
APA	黄建国,&韩建伟.(2004).脉冲激光诱发单粒子效应的机理.中国科学G辑,34(2),121-130.
MLA	黄建国,et al."脉冲激光诱发单粒子效应的机理".中国科学G辑 34.2(2004):121-130.