| APTES为单一硅源制备SiO_2包覆羰基铁粉及其吸波性能 | |
| 冯旺军; 郑文谦; 李靖; 刚骏涛; 赵星; 杨华 | |
| 2015-10-31 | |
| 会议日期 | 2015 |
| 关键词 | SiO_2包覆羰基铁粉 复介电常数 复磁导率 反射吸收率 |
| 英文摘要 | 以3-氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)为单一硅源,利用化学浴沉积法在羰基铁粉(CIP)表面包覆SiO_2获得SiO_2@CIP核壳结构复合吸波剂,采用X射线衍射仪(XRD)、红外吸收谱仪、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)等技术表征了所制备材料的组成、形貌和结构;通过矢量网络分析仪测试样品的电磁性能。结果显示:采用APTES为单一硅源的包覆技术可制备SiO_2@CIP复合吸波剂,SiO_2包覆层的厚度约为10nm,当涂覆层厚度为d=1.9mm时,在6.4GHz至11.4GHz波段范围反射吸收率小于-10 dB,最低反射吸收率达到-58.6dB。 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| 源URL | [http://119.78.100.223/handle/2XXMBERH/28026]  |
| 专题 | 理学院 省部共建有色金属先进加工与再利用国家重点实验室 |
| 作者单位 | 1.省部共建有色金属先进加工与再利用国家重点实验室 2.兰州理工大学理学院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯旺军,郑文谦,李靖,等. APTES为单一硅源制备SiO_2包覆羰基铁粉及其吸波性能[C]. 见:. 2015. |
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