锑掺杂量对ATO纳米颗粒结构及其导电性能的影响

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	锑掺杂量对ATO纳米颗粒结构及其导电性能的影响
	杨保平 ; 钟小华 ; 张晓亮 ; 崔锦峰 ; 贾均红 ; 易戈文
刊名	功能材料
	2011-11-20
期号	2011年11期页码:1993-1997
关键词	ATO纳米颗粒 Sb掺杂量 sol-gel法 XPS 电阻率
ISSN号	ISSN：1001-9731
英文摘要	以SnCl4.5H2O和SbCl3为主要原料,采用sol-gel法制备了锑掺杂二氧化锡(ATO)纳米粉体。分别利用FESEM、XRD、FT-IR、XPS及四探针电阻仪对粉体形貌、晶体结构、元素组成和粉末电阻进行表征,考察Sb掺杂量对ATO粒子晶体结构、晶粒尺寸和导电性能的影响。结果表明所制备的ATO为(110)面择优取向的四方相锡石结构的纳米颗粒,当Sb掺杂量为15%(摩尔分数)时,ATO具有最小的粉末电阻率(12.85Ω.cm)。当Sb掺杂量≤28%时可得到完全掺杂的ATO,ATO的导电性与其中的Sb5+离子浓度有关,而且Sb含量在28%以下可能存在一个阈值,有利于固溶在SnO2晶格中的Sb形成Sb5+,使载流子浓度达到最大,因而表现出最佳的导电性能。
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语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://119.78.100.223/handle/2XXMBERH/12703]
专题	图书馆石油化工学院
作者单位	1.中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室 2.兰州理工大学石油化工学院
推荐引用方式 GB/T 7714	杨保平,钟小华,张晓亮,等. 锑掺杂量对ATO纳米颗粒结构及其导电性能的影响[J]. 功能材料,2011(2011年11期):1993-1997.
APA	杨保平,钟小华,张晓亮,崔锦峰,贾均红,&易戈文.(2011).锑掺杂量对ATO纳米颗粒结构及其导电性能的影响.功能材料(2011年11期),1993-1997.
MLA	杨保平,et al."锑掺杂量对ATO纳米颗粒结构及其导电性能的影响".功能材料 .2011年11期(2011):1993-1997.