铈掺杂氮化硅电子结构及其光学性能的第一性原理

doi:10.13295/j.cnki.jlut.2015.04.006

	铈掺杂氮化硅电子结构及其光学性能的第一性原理
	力一轩 ; 张飞 ; 郭鑫 ; 尹建波 ; 卢学峰
刊名	兰州理工大学学报
	2015-08-15
期号	2015年04期页码:24-30
关键词	稀土掺杂氮化硅电子结构光学性能第一性原理
ISSN号	ISSN：1673-5196
DOI	10.13295/j.cnki.jlut.2015.04.006
英文摘要	采用密度泛函理论下的平面波赝势方法和广义梯度近似,计算稀土元素铈掺杂氮化硅体系的电子结构及其光学性能.结果表明:随掺杂浓度的提高,能带密度逐渐增加,带隙逐渐减小,分别为1.609、1.117、0.655eV,接近半导体带隙特征;差分电荷密度图表明,随掺杂浓度的提高,铈与氮成键的共价性逐渐降低,离子性逐渐升高,并通过布居值得到验证;掺杂一个铈原子体系在低能区的介电常数和损耗较小,表明其作为电介质材料在光电器件应用中可体现较长的使用寿命,同时在可见光区具有低的吸收系数和反射率,呈现"透明型"性质,说明光在该体系中更容易传播,也表明其作为光学元件具有潜在的应用前景.
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语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.lut.edu.cn/handle/2XXMBERH/156781]
专题	党委组织部（党校、帮扶办）材料科学与工程学院
作者单位	1.内蒙古第一机械集团有限公司; 2.兰州理工大学省部共建有色金属先进加工与再利用国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	力一轩,张飞,郭鑫,等. 铈掺杂氮化硅电子结构及其光学性能的第一性原理[J]. 兰州理工大学学报,2015(2015年04期):24-30.
APA	力一轩,张飞,郭鑫,尹建波,&卢学峰.(2015).铈掺杂氮化硅电子结构及其光学性能的第一性原理.兰州理工大学学报(2015年04期),24-30.
MLA	力一轩,et al."铈掺杂氮化硅电子结构及其光学性能的第一性原理".兰州理工大学学报 .2015年04期(2015):24-30.