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	Influence of small indium content in quantum barriers on the luminescence properties of InGaN/InGaN double-quantum wells
	FENG LIANG ;   DEGANG ZHAO ;   DESHENG JIANG ;   ZONGSHUN LIU ;   JIANJUN ZHU ;   PING CHEN ;   JING YANG ;   LIQUN ZHANG
刊名	Optical Materials Express
	2019
卷号	9期号:10页码:3941-3951
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/29521]
专题	半导体研究所_光电子研究发展中心
推荐引用方式 GB/T 7714	FENG LIANG ; DEGANG ZHAO ; DESHENG JIANG ; ZONGSHUN LIU ; JIANJUN ZHU ; PING CHEN ; JING YANG ; LIQUN ZHANG. Influence of small indium content in quantum barriers on the luminescence properties of InGaN/InGaN double-quantum wells[J]. Optical Materials Express,2019,9(10):3941-3951.
APA	FENG LIANG ; DEGANG ZHAO ; DESHENG JIANG ; ZONGSHUN LIU ; JIANJUN ZHU ; PING CHEN ; JING YANG ; LIQUN ZHANG.(2019).Influence of small indium content in quantum barriers on the luminescence properties of InGaN/InGaN double-quantum wells.Optical Materials Express,9(10),3941-3951.
MLA	FENG LIANG ; DEGANG ZHAO ; DESHENG JIANG ; ZONGSHUN LIU ; JIANJUN ZHU ; PING CHEN ; JING YANG ; LIQUN ZHANG."Influence of small indium content in quantum barriers on the luminescence properties of InGaN/InGaN double-quantum wells".Optical Materials Express 9.10(2019):3941-3951.

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