| 题名 | 基于激光器结构的InGaN材料发光特性和外延机理研究 |
| 作者 | 彭莉媛 |
| 答辩日期 | 2021-06 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院大学 |
| 授予地点 | 中国科学院半导体研究所 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2021-06 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/30243]  |
| 专题 | 半导体研究所_光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭莉媛. 基于激光器结构的InGaN材料发光特性和外延机理研究[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学. 2021. |
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