| 题名 | III-V族窄禁带半导体自旋电子学器件的材料与物理研究 |
| 作者 | 童树成 |
| 答辩日期 | 2020-07 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院大学 |
| 授予地点 | 中国科学院半导体研究所 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2020-07 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/29931]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 童树成. III-V族窄禁带半导体自旋电子学器件的材料与物理研究[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学. 2020. |
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