| 一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法 | |
| 郑齐文; 崔江维; 李小龙; 魏莹; 余学峰; 李豫东; 郭旗 | |
| 2021-01-12 | |
| 著作权人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法，该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关，总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合，准确仿真辐射环境工作集成电路特性。 |
| 申请日期 | 2020-10-20 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/8074]  |
| 专题 | 固体辐射物理研究室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑齐文,崔江维,李小龙,等. 一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法. 2021-01-12. |
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