| 一种低温尖晶石氧化物负温度系数热敏电阻器及其制备方法 | |
| 谢永新; 赵一风; 常爱民 | |
| 2021-06-18 | |
| 著作权人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种低温尖晶石氧化物负温度系数热敏电阻器及其制备方法，该电阻器是由硫酸锰、硫酸钴、硫酸镍、碳酸锂为原料，碳酸氢铵为沉淀剂，氨水为缓冲液，油酸为分散剂，采用共沉淀法制备，通过调节原料滴加速度，物料配比，pH值来控制共沉淀法遇到的团聚现象。反应后洗涤抽滤，煅烧得热敏电阻粉体。粉体经压片成型，等静压，高温煅烧，涂电极退火，焊引线，环氧树脂封装，即可得到低温尖晶石氧化物负温度系数热敏电阻器。该电阻器适用于低温温区，具有相对较低的B值，和较高的电阻率，适用于低温温区的尖晶石氧化物热敏电阻器。 |
| 申请日期 | 2021-03-15 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/7970]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢永新,赵一风,常爱民. 一种低温尖晶石氧化物负温度系数热敏电阻器及其制备方法. 2021-06-18. |
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