^197Os的合成和衰变

	^197Os的合成和衰变
	袁双贵; 杨维凡; 徐岩冰; 肖永厚; 王贤义; 赵力民; 王平志; 李恒远
刊名	同位素
	2004
卷号	17.0 期号:1.0 页码:1-4
关键词	^197Os 锇 γ射线半衰期重丰中子同位素合成工艺
ISSN号	1000-7512
英文摘要	用14MeV中子轰击Pt，通过^198Pt(n，2p)反应产生^197Os。用高纯锗探测器观测^197Os的衰变γ射线，获得了10条新γ射线，并指定为^197Os的衰变，测定它的半衰期为2．8±0．6min。根据γ(x)-γ符合测量，建议一个^197Os的部分衰变纲图。
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:1727731
内容类型	期刊论文
源URL	[http://119.78.100.186/handle/113462/138827]
专题	中国科学院近代物理研究所
作者单位	中国科学院近代物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	袁双贵,杨维凡,徐岩冰,等. ^197Os的合成和衰变[J]. 同位素,2004,17.0(1.0):1-4.
APA	袁双贵.,杨维凡.,徐岩冰.,肖永厚.,王贤义.,...&李恒远.(2004).^197Os的合成和衰变.同位素,17.0(1.0),1-4.
MLA	袁双贵,et al."^197Os的合成和衰变".同位素 17.0.1.0(2004):1-4.