一种应用于钕铁硼的非晶铝锰涂层的HIPIMS制备方法
夏原; 李光
2021-03-05
著作权人中国科学院力学研究所
专利号ZL202010418357.7
国家中国
英文摘要 本发明提供一种应用于钕铁硼的低锰含量非晶铝锰涂层的HIPIMS制备方法,制备铝锰‑稀土以作为复合靶材;先对钕铁硼磁材进行研磨清洗和真空离子轰击清洗;磁材温度降低至120~150℃,调整真空室内氩气流量至工作真空度0.3~0.8Pa,开启脉冲电源且与靶材基距为60~100mm,负偏压为50‑150V,峰值功率密度为500~800W/cm2,然后开始脉冲磁控溅射镀膜,控制磁材温度不超过200℃,持续镀膜30‑60min后停止;待磁材冷却后,对真空室充气,取出镀膜后的磁材,完成镀膜过程。本发明通过调整靶基距、偏压、基片温度和功率等参数得到了最适合于制备非晶铝锰涂层的磁控溅射工艺参数,降低了形成铝锰非晶结构所需要的锰含量。
公开日期2021-03-05
申请日期2020-05-18
语种中文
内容类型专利
源URL[http://dspace.imech.ac.cn/handle/311007/87704]  
专题力学研究所_先进制造工艺力学重点实验室
作者单位中国科学院力学研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
夏原,李光. 一种应用于钕铁硼的非晶铝锰涂层的HIPIMS制备方法. ZL202010418357.7. 2021-03-05.
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