| 一种基于SOI结构的电离总剂量探测系统及方法 | |
| 孙静; 郭旗; 施炜雷; 于新; 何承发; 余学峰; 陆妩 | |
| 2017-06-06 | |
| 著作权人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明涉及辐射环境探测技术领域，涉及一种基于SOI结构的电离总剂量探测系统及方法。该探测系统包括探头模块、恒流源模块、数据采集模块和控制模块；所述控制模块输入端与PC机相连，控制模块输出端与恒流源模块、数据采集模块和探头模块相连；所述恒流源模块与探头模块相连；所述数据采集模块的输入端与探头模块相连，数据采集模块的输出端与PC机相连；所述探头模块包括SOI结构的辐照传感器。本发明实现了星用PMOS剂量计的传感器国产化；提高了灵敏度，可用于更低累积剂量的测试；基于此结构的探测器便携、灵活、易用，适用于空间环境监测、半导体元器件电离效应评估及寿命预测。 |
| 公开日期 | 2019-05-31 |
| 申请日期 | 2016-12-19 |
| 状态 | 已授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/6577]  |
| 专题 | 固体辐射物理研究室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙静,郭旗,施炜雷,等. 一种基于SOI结构的电离总剂量探测系统及方法. 2017-06-06. |
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