| 化合物硫硅镉锂和硫硅镉锂中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用 | |
| 潘世烈; 李广卯; 武奎 | |
| 2019-05-28 | |
| 著作权人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种化合物硫硅镉锂和硫硅镉锂红外非线性光学晶体及制备方法和应用，该化合物的化学式为Li2CdSiS4，分子量为282.61，为硫硅镉锂粉末纯样；该晶体的化学式为Li2CdSiS4，分子量为锌，非中心对称结构单晶，晶系为正交晶系，空间群为Pmn21，晶胞参数a=7.611(3)Å，b=6.793(2)Å，c=6.304(2)Å，Z=2，单胞体积V=325.90（19）Å3。采用在真空条件下进行固相反应法和高温熔融‑自发结晶法制备粉末纯样和晶体；本发明中所述的硫硅镉锂红外非线性光学晶体的纯样XRD图与理论值吻合；在2090nm的激光下，倍频效应是AgGaS2的1倍；获得毫米级晶体。 |
| 申请日期 | 2019-03-18 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/7574]  |
| 专题 | 新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 潘世烈,李广卯,武奎. 化合物硫硅镉锂和硫硅镉锂中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用. 2019-05-28. |
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