ZnGeN2晶体的结构和物性表征

CORC > 金属研究所 > 中国科学院金属研究所

	ZnGeN2晶体的结构和物性表征
	杜奎 ; Bekele C ; Hayman C C ; Pirouz P ; Kash K
	2006-08-26
会议名称	2006年全国电子显微学会议
会议日期	2006-08-26
会议地点	沈阳
关键词	ZnGeN2晶体晶体结构带隙宽度溅射沉积物理性能表征
中文摘要	ZnGeN2的带隙宽度与GaN仅相差100meV,而且其相似的化合物ZnSiN2和ZnSnN2分别具有较大和较小的带隙宽度,因此,ZnGeN2-ZnSiN2-ZnSnN2合金有潜力形成类似于GaN-AlN-InN的半导体体系.此外,ZnGeN2的晶格常数与GaN相差不到百分之一,也有可能作为GaN晶体生长的基体.但是,目前对ZnGeN2晶体生长,结构和物理性能研究的报道较少.早期报道中曾经通过Zn与Ge3N2或者ZnGeO4与NH3的反应得到ZnGeN2晶体.此后,也有通过Zn、Ge与Cl2-N2-HCl混合气体反应;Zn3N2与Ge3N4的高压反应;溅射沉积或金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法得到ZnGeN2晶体.这里,本文使用NH3与Zn、Ge金属的蒸汽进行气相反应的方法生成ZnGeN2,并对其结构和物理性能进行了表征。
会议主办者	中国物理学会
会议录	电子显微学报
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://210.72.142.130/handle/321006/70513]
专题	金属研究所_中国科学院金属研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	杜奎,Bekele C,Hayman C C,等. ZnGeN2晶体的结构和物性表征[C]. 见:2006年全国电子显微学会议. 沈阳. 2006-08-26.