CORC  > 金属研究所  > 中国科学院金属研究所
题名拓扑绝缘体Bi2Se3的表面态调控及光电性质研究
作者李名泽
答辩日期2019-10-30
文献子类博士
内容类型学位论文
源URL[http://ir.imr.ac.cn/handle/321006/155378]  
专题金属研究所_中国科学院金属研究所
作者单位中国科学院金属研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李名泽. 拓扑绝缘体Bi2Se3的表面态调控及光电性质研究[D]. 2019.
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