机器人气囊抛光SiC光学元件加工特性研究

	机器人气囊抛光SiC光学元件加工特性研究
	黄智 ; 周涛 ; 吴湘 ; 刘海涛 ; 万勇健 ; 郑晓
刊名	西安交通大学学报
	2020-09-04
期号	12 页码:9
关键词	气囊抛光碳化硅去除函数抛光头
ISSN号	0253-987X
文献子类	期刊论文
英文摘要	目前对碳化硅光学元件已有的化学机械抛光、磁流变抛光、电化学抛光和催化剂辅助抛光等方式，存在材料去除率低、成本高等问题，为此提出机器人气囊抛光方法，并对气囊抛光特性、抛光头机械结构进行了研究。首先，基于Preston理论和赫兹接触理论以及速度分析建立了材料理论去除模型，并对去除函数进行了仿真，再此基础上设计了气囊抛光磨头装置。然后对非球面碳化硅元件开展了单点和多点抛光实验验证了去除函数的精确性和稳定性。最后通过粗抛和精抛进行加工应用验证。实验结果表明所提出方法能够有效实现碳化硅光学元件抛光，并且去除函数精度高稳定性强，通过3个周期的粗抛、4个周期的精抛，面形收敛率分别为69.4%、51.9%，且收敛速度快、加工精度高。
语种	中文
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ioe.ac.cn/handle/181551/9983]
专题	光电技术研究所_先光中心
通讯作者	黄智
作者单位	1.中国科学院光电技术研究所 2.电子科技大学机械与电气工程学院
推荐引用方式 GB/T 7714	黄智,周涛,吴湘,等. 机器人气囊抛光SiC光学元件加工特性研究[J]. 西安交通大学学报,2020(12):9.
APA	黄智,周涛,吴湘,刘海涛,万勇健,&郑晓.(2020).机器人气囊抛光SiC光学元件加工特性研究.西安交通大学学报(12),9.
MLA	黄智,et al."机器人气囊抛光SiC光学元件加工特性研究".西安交通大学学报 .12(2020):9.