| 多波长硅基III-V族混合集成激光器、其阵列单元和制备方法 | |
| 郑婉华; 孟然哲; 王海玲; 王明金 | |
| 2019-09-27 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN110289553A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 多波长硅基III-V族混合集成激光器、其阵列单元和制备方法 |
| 英文摘要 | 一种多波长硅基III‑V族混合集成激光器、其阵列单元和制备方法，该硅基III‑V族混合集成激光器阵列单元包括III‑V半导体外延层和与其连接的SOI基底，其中，III‑V半导体外延层上设有若干个III‑V波导、若干个P电极和N电极；SOI基底上设有激光输出组件。本发明的硅基混合集成激光器阵列中每个阵列波导采用多个波导耦合进一个硅波导作为单波长输出，从而提高了激光的输出功率。 |
| 公开日期 | 2019-09-27 |
| 申请日期 | 2019-06-25 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92474]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑婉华,孟然哲,王海玲,等. 多波长硅基III-V族混合集成激光器、其阵列单元和制备方法. CN110289553A. 2019-09-27. |
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