| 一种非掺杂自发辐射光放大薄膜器件及其制备方法 | |
| 赖文勇; 陆婷婷; 黄维 | |
| 2018-11-16 | |
| 著作权人 | 南京邮电大学 |
| 专利号 | CN108832482A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种非掺杂自发辐射光放大薄膜器件及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种非掺杂自发辐射光放大薄膜器件及其制备方法，属于激光技术领域。该薄膜器件由高性能增益介质和衬底组成，其特征在于优选单分散的多臂结构三并茚衍生物作为增益介质；在较宽的激发波长范围内，该薄膜器件均能实现有效的光放大以及优异的光稳定性和热稳定性。本发明的非掺杂的自发辐射放大薄膜器件工艺简单、成本低廉，具有高增益、低阈值等优点，可应用于实现高性能有机激光器件。 |
| 公开日期 | 2018-11-16 |
| 申请日期 | 2018-06-12 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92274]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 南京邮电大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赖文勇,陆婷婷,黄维. 一种非掺杂自发辐射光放大薄膜器件及其制备方法. CN108832482A. 2018-11-16. |
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