| 差频太赫兹量子级联激光器 | |
| 程凤敏; 张锦川; 刘峰奇; 卓宁; 王利军; 刘俊岐; 刘舒曼; 王占国 | |
| 2018-08-03 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN108365518A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 差频太赫兹量子级联激光器 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种差频太赫兹量子级联激光器，包括：有源区，位于所述衬底上方，所述有源区包括自下而上的多周期级联的量子点有源层，各周期量子点有源层包括多个自下而上的InGaAs/InAlAs量子阱/垒对，以及位于每两个InGaAs/InAlAs量子阱/垒对之间插入的量子点插层，所述量子点插层包括应变自组织量子点InAs层和用于应变补偿的GaAs层。本发明引入多周期级联的量子点有源层，基于量子点的“声子瓶颈”效应和非均匀展宽，能够改善差频太赫兹量子级联激光器的性能，如功率、转化效率、调谐范围以及阈值电流密度等。 |
| 公开日期 | 2018-08-03 |
| 申请日期 | 2018-03-13 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92225]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程凤敏,张锦川,刘峰奇,等. 差频太赫兹量子级联激光器. CN108365518A. 2018-08-03. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论