| GaN基新型结构激光器及其制作方法 | |
| 孙慧卿; 汪鑫; 郭志友; 张秀; 侯玉菲; 龚星; 徐智鸿; 刘天意 | |
| 2018-02-27 | |
| 著作权人 | 华南师范大学 |
| 专利号 | CN107742825A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | GaN基新型结构激光器及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种GaN基新型结构激光器及其制作方法，所述GaN基新型结构激光器从下至上依次包括：衬底、下限制层、下波导层、有源区层、未掺杂的AlInGaN极化缓解层、电子阻挡层、上波导层、上限制层、欧姆接触层，以及位于衬底的下表面的n型欧姆电极。本发明所述GaN基新型结构激光器在有源区和电子阻挡层之间插入了一层未掺杂的AlInGaN，可以降低极化效应，缓解了有源区和电子阻挡层表面的部分压力，有助于增加载流子的有效势垒高度，从而有利于减少吸收损耗和阀值电流，使激光器的性能得到显著提升。 |
| 公开日期 | 2018-02-27 |
| 申请日期 | 2017-10-26 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92165]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 华南师范大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙慧卿,汪鑫,郭志友,等. GaN基新型结构激光器及其制作方法. CN107742825A. 2018-02-27. |
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