| GaN基紫外激光器晶圆、激光器芯片及激光器及其制备方法 | |
| 邢瑶; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军; 杨静 | |
| 2017-08-18 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN107069433A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | GaN基紫外激光器晶圆、激光器芯片及激光器及其制备方法 |
| 英文摘要 | 一种GaN基紫外激光器晶圆，包括叠置于GaN衬底正面上的n型限制层、n型波导层、有源区、u型波导层、p型限制层和p型接触层，其中：在n型波导层和有源区之间还有一n型空穴阻挡层；在u型波导层和p型限制层之间还有一p型电子阻挡层；该GaN基紫外激光器晶圆为脊型结构。以及一种GaN基紫外激光器晶圆的制备方法、通过解理、镀膜形成的激光芯片、通过封装形成的激光器。本发明在u型波导层/n型波导层与限制层/有源区之间插入p型电子阻挡层/n型空穴阻挡层；可在u型波导层与限制层之间/n型波导层和有源区之间形成高的势垒，有效阻止电子/空穴泄漏到有源区以外靠近p/n区的位置；从而可降低GaN基紫外激光器的阈值电流，提高功率和光电转换效率。 |
| 公开日期 | 2017-08-18 |
| 申请日期 | 2017-06-20 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91991]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邢瑶,赵德刚,江德生,等. GaN基紫外激光器晶圆、激光器芯片及激光器及其制备方法. CN107069433A. 2017-08-18. |
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