| 一种DFB激光器光栅及芯片的制作方法 | |
| 王任凡; 刘应军; 阳红涛; 胡忞远; 熊永华 | |
| 2013-04-17 | |
| 著作权人 | 武汉电信器件有限公司 |
| 专利号 | CN103050888A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种DFB激光器光栅及芯片的制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种DFB激光器光栅及芯片的制作方法。该DFB激光器光栅制作时光栅层结构为两层P-InP层中间夹一层P-InGaAsP层，先在顶端P-InP层外涂覆光栅用光刻胶，烘干后进行全息曝光，显影，制作成均匀光栅；然后使用HCl、H3PO4和H2O组成的腐蚀液腐蚀掉一层P-InP层；再用H2SO4、H2O2和H2O组成的腐蚀液腐蚀掉P-InGaAsP层；最后除去光刻胶，得到DFB激光器用光栅。通过这种三明治光栅结构设计和InGaAsP/InP两种材料的选择性腐蚀，可获得深度一致的均匀光栅。本发明方法制作成本低，光栅一致性好，DFB激光器成品率高，利于大规模生产的需要。 |
| 公开日期 | 2013-04-17 |
| 申请日期 | 2013-01-10 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91986]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉电信器件有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王任凡,刘应军,阳红涛,等. 一种DFB激光器光栅及芯片的制作方法. CN103050888A. 2013-04-17. |
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