| 一种含有高选择性腐蚀阻挡层的808nm半导体激光器 | |
| 李沛旭; 徐现刚; 朱振; 张新; 苏建 | |
| 2017-01-04 | |
| 著作权人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 专利号 | CN106300012A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种含有高选择性腐蚀阻挡层的808nm半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种含有高选择性腐蚀阻挡层的808nm半导体激光器，属于半导体激光器技术领域，从下至上包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、第一上限制层、腐蚀阻挡层、第二上限制层和欧姆接触层；腐蚀阻挡层为GaInP材料；有源层为GaAsP材料或者InGaAsP材料；下限制层为AlGaInP材料，第一上限制层为AlGaInP材料，上波导层和下波导层采用GaInP；第二上限制层为AlGaAs材料，欧姆接触层为GaAs材料。本发明能够较容易的实现材料生长，由第二上限制层和欧姆接触层组成的结构能够实现高选择性的化学腐蚀结果，能够有效控制脊型波导的台阶腐蚀深度、台阶对称性，提升半导体激光器的性能。 |
| 公开日期 | 2017-01-04 |
| 申请日期 | 2016-09-19 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91036]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李沛旭,徐现刚,朱振,等. 一种含有高选择性腐蚀阻挡层的808nm半导体激光器. CN106300012A. 2017-01-04. |
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