| 一种氧化锌同质结p－n结材料及其制备方法 | |
| 边继明; 李效民; 高相东; 于伟东 | |
| 2004-11-17 | |
| 著作权人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 专利号 | CN1547264A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种氧化锌同质结p－n结材料及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种用喷雾热解法，通过氮和铟的共掺杂，制备p－型氧化锌薄膜材料，通过掺杂铟制备低阻n－型氧化锌薄膜材料，从而制得ZnO同质结p－n结的方法。在该方法中，通过向先驱体溶液中添加适量的含氮和含铟掺杂剂，经超声雾化热解反应制备p－型氧化锌薄膜，通过向先驱体溶液中添加适量的铟掺杂剂，经超声雾化热解反应制备低阻n－型氧化锌薄膜。在不同的材料表面上，先后生长p－型(或n－型)和n－型(或p－型)ZnO薄膜即可制得ZnO同质结p－n结。通过控制先驱体溶液浓度及配比、衬底温度、成膜气氛及雾化气量可实现对制得ZnO同质结p－n结电学性能的控制，以满足制备氧化锌基发光二极管(LEDs)，激光二极管(LDs)等光电子器件方面的需要。该法工艺简单易行，成本低廉。 |
| 公开日期 | 2004-11-17 |
| 申请日期 | 2003-12-05 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90986]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 边继明,李效民,高相东,等. 一种氧化锌同质结p－n结材料及其制备方法. CN1547264A. 2004-11-17. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论