| 宽光谱晶闸管激光器的制备方法 | |
| 王嘉琪; 刘震; 于红艳; 周旭亮; 李召松; 王圩; 潘教青 | |
| 2017-08-18 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN107069427A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 宽光谱晶闸管激光器的制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种宽光谱晶闸管激光器的制备方法，涉及半导体器件制备技术领域。本发明公开的制备方法包括：在衬底上制备半导体外延层结构，在半导体外延层结构上形成脊条结构，在脊条结构上制备电极得到所述的宽光谱晶闸管激光器。其中，通过结合传统激光器的PiN结构和传统晶闸管的PNPN结构，引入上N型区，完成具备高输出功率，且有高稳定性和可控性的PNPiN结构宽光谱晶闸管激光器的制备。制备工艺简单可控，成本低廉，易于实现批量生产。 |
| 公开日期 | 2017-08-18 |
| 申请日期 | 2017-01-24 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90574]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王嘉琪,刘震,于红艳,等. 宽光谱晶闸管激光器的制备方法. CN107069427A. 2017-08-18. |
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