| 一种窄条脊形GaAs 基激光器的制备方法及GaAs 基激光器 | |
| 王金翠; 苏建; 徐现刚 | |
| 2016-05-11 | |
| 著作权人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 专利号 | CN105576498A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种窄条脊形GaAs 基激光器的制备方法及GaAs 基激光器 |
| 英文摘要 | 一种窄条脊形GaAs基激光器的制备方法，包括：首先在外延片的表面使用第一块光刻掩膜版光刻出一定宽度的图形光刻胶，其中在外延片表面的特定区域上面光刻出一定的图形刻度，然后使用第二块光刻掩膜版，利用光刻掩膜版特定区域上面的图形刻度和外延片表面一次光刻制备出图形刻度相对应，光刻出符合尺寸要求的图形，最后经过腐蚀、生长电极、减薄、合金、封装等工步形成激光器。采用本发明的方法，一方面可以不使用昂贵的设备就可以实现小尺寸图形的光刻，同时掩模光刻胶还可以作为掩蔽膜进行外延片图形的腐蚀；另外，可以不采用套刻的方式使电流阻挡层覆盖到脊条图形的侧面，有利于发光效率和输出光功率的改善，可有效的提高了激光器的性能。 |
| 公开日期 | 2016-05-11 |
| 申请日期 | 2016-03-02 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90138]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王金翠,苏建,徐现刚. 一种窄条脊形GaAs 基激光器的制备方法及GaAs 基激光器. CN105576498A. 2016-05-11. |
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