| 窒化物系化合物半導体光素子 | |
| 内田 憲治; 渡辺 明禎; 田中 俊明; 皆川 重量 | |
| 1997-09-05 | |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 专利号 | JP1997232681A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系化合物半導体光素子 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】窒化物系化合物半導体からなる光素子の製造において、光導波路を安全且つ制御性良く形成し、キャリア及び光を有効に活性層に閉じ込められる光素子を作製する。 【解決手段】側方に電流狭窄層19が形成されるクラッド層18中にエッチング停止層7を新たに形成する。エッチング停止層7は、クラッド層よりバンドギャップが大きく且つキャリア濃度が異なるものとする。この場合、エッチング停止層中のキャリア濃度は、これがp型クラッド層8中のときは高く又n型クラッド層4中のときは低くする。エッチング停止層の組成は、(AlxGa1-x)InyN(但し、0≦x≦1,0≦y≦1)とする。 |
| 公开日期 | 1997-09-05 |
| 申请日期 | 1996-02-22 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89286]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 憲治,渡辺 明禎,田中 俊明,等. 窒化物系化合物半導体光素子. JP1997232681A. 1997-09-05. |
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