| 반도체 레이저 | |
| 도조쓰요시; 오자와마사후미; 우치다시로; 히라타쇼지 | |
| 2001-01-26 | |
| 著作权人 | 소니 주식회사 |
| 专利号 | KR1020010007396A |
| 国家 | 韩国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 반도체 레이저 |
| 英文摘要 | 구동 전압의 저감, 횡(橫)모드의 안정화, 원시야상(遠視野像)의 수평 방향의 빔 확산각 확대, 공진기(共振器) 단면(端面) 형상의 불균일에 의한 레이저 특성의 악화 방지 및 노이즈 특성의 향상을 용이하게 실현할 수 있는 질화물계(窒化物系) III-V족 화합물 반도체를 사용한 반도체 레이저를 제공한다. p형AlGaN 클래드층(cladding layer)의 상층부, p형 GaN 콘택트층으로 이루어지는 리지부(ridge portion)의양측에, GaInN 활성층으로부터의 광을 흡수하지 않는 SiO2 전류 협착층이 형성된 굴절률 도파형(導波型)의 GaN계 반도체 레이저에 있어서, 리지부의 공진기 길이 방향의 양단부(兩端部)에, 공진기 길이 방향의중앙부로부터 공진기 길이 방향의 양단부로 향하는 방향으로 폭이 감소되는 테이퍼 영역을 형성한다. 리지부의 공진기 길이 방향의 중앙부는 폭이 일정한 스트레이트 영역(straight region)으로 한다. 리지부의 공진기 길이 방향의 양단면(兩端面)에서의 폭을 3㎛ 이하, 리지부의 공진기 길이 방향의 중앙부에서의 폭을 4㎛ 이상으로 설정한다. 도7 색인어 클래드층, 리지부, 테이퍼 영역, 사파이어 기판, 스트레이트 영역. |
| 公开日期 | 2001-01-26 |
| 申请日期 | 2000-06-15 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89261]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 소니 주식회사 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 도조쓰요시,오자와마사후미,우치다시로,et al. 반도체 레이저. KR1020010007396A. 2001-01-26. |
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