Dioda superluminescencyjna na bazie stopu AllnGaN | |
KAFAR ANNA; STAŃCZYK SZYMON; NOWAKOWSKA-SIWIŃSKA ANNA; SARZYŃSKI MARCIN; SUSKI TADEUSZ; PERLIN PIOTR | |
2017-03-27 | |
著作权人 | TOP-GAN SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ |
专利号 | PL414077A1 |
国家 | 波兰 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | Dioda superluminescencyjna na bazie stopu AllnGaN |
英文摘要 | Przedmiotem wynalazku jest dioda superluminescencyjna na bazie stopu AllnGaN, zawierająca objętościowe podłoże (4) z azotku galu, dolną warstwę okładkową (5) o przewodnictwie elektrycznym typu n, dolną warstwę światłowodową (6) o przewodnictwie elektrycznym typu n, warstwę emitującą światło (7), warstwę blokującą elektrony (8) o przewodnictwie elektrycznym typu p, górną warstwę światłowodu (9), górną warstwę okładkową o przewodnictwie elektrycznym typu p (10) i warstwę podkontaktową (11) o przewodnictwie elektrycznym typu p, przy czym objętościowe podłoże (4) z azotku galu posiada przestrzennie zmienną dezorientację powierzchni w stosunku do płaszczyzny krystalograficznej M z zakresu od 0° do 10°. |
公开日期 | 2017-03-27 |
申请日期 | 2015-09-23 |
状态 | 授权 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87931] |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | TOP-GAN SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ |
推荐引用方式 GB/T 7714 | KAFAR ANNA,STAŃCZYK SZYMON,NOWAKOWSKA-SIWIŃSKA ANNA,et al. Dioda superluminescencyjna na bazie stopu AllnGaN. PL414077A1. 2017-03-27. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论