Dioda superluminescencyjna na bazie stopu AllnGaN
KAFAR ANNA; STAŃCZYK SZYMON; NOWAKOWSKA-SIWIŃSKA ANNA; SARZYŃSKI MARCIN; SUSKI TADEUSZ; PERLIN PIOTR
2017-03-27
著作权人TOP-GAN SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ
专利号PL414077A1
国家波兰
文献子类发明申请
其他题名Dioda superluminescencyjna na bazie stopu AllnGaN
英文摘要Przedmiotem wynalazku jest dioda superluminescencyjna na bazie stopu AllnGaN, zawierająca objętościowe podłoże (4) z azotku galu, dolną warstwę okładkową (5) o przewodnictwie elektrycznym typu n, dolną warstwę światłowodową (6) o przewodnictwie elektrycznym typu n, warstwę emitującą światło (7), warstwę blokującą elektrony (8) o przewodnictwie elektrycznym typu p, górną warstwę światłowodu (9), górną warstwę okładkową o przewodnictwie elektrycznym typu p (10) i warstwę podkontaktową (11) o przewodnictwie elektrycznym typu p, przy czym objętościowe podłoże (4) z azotku galu posiada przestrzennie zmienną dezorientację powierzchni w stosunku do płaszczyzny krystalograficznej M z zakresu od 0° do 10°.
公开日期2017-03-27
申请日期2015-09-23
状态授权
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87931]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位TOP-GAN SPÓŁKA Z OGRANICZONĄ ODPOWIEDZIALNOŚCIĄ
推荐引用方式
GB/T 7714
KAFAR ANNA,STAŃCZYK SZYMON,NOWAKOWSKA-SIWIŃSKA ANNA,et al. Dioda superluminescencyjna na bazie stopu AllnGaN. PL414077A1. 2017-03-27.
个性服务
查看访问统计
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace