| 一种高光束质量大规模VCSEL同相耦合阵列 | |
| 徐晨; 潘冠中; 荀孟; 王秋华; 解意洋 | |
| 2017-05-10 | |
| 著作权人 | 北京工业大学 |
| 专利号 | CN106654857A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种高光束质量大规模VCSEL同相耦合阵列 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种高光束质量大规模VCSEL同相耦合阵列，属于半导体激光器技术领域，该阵列为一种带网格电极的高光束质量大规模VCSEL同相耦合阵列，采用质子注入法实现出光单元间的电隔离。器件工作时，使得出光孔区域的有效折射率低于间隔区域的有效折射率，形成特殊的反波导结构。而间隔区域的网格电极进一步加大了反波导的折射率台阶，使得同相耦合的难度降低。通过适当的调节质子注入的深度d和单元间距，使得阵列满足同相激射的条件，便能够实现同相耦合阵列。本发明通过合理设计阵列单元间距和质子注入深度d，可以得到同相激光输出，提高了阵列的光束质量，可以应用于自由空间光互联、激光雷达、激光打印、光纤通信、光泵浦等领域。 |
| 公开日期 | 2017-05-10 |
| 申请日期 | 2017-03-05 |
| 状态 | 申请中 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/86446]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京工业大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐晨,潘冠中,荀孟,等. 一种高光束质量大规模VCSEL同相耦合阵列. CN106654857A. 2017-05-10. |
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