| 基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构 | |
| 郭菲; 陆丹; 张瑞康; 王会涛; 王圩; 吉晨 | |
| 2015-09-16 | |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 专利号 | CN104914506A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构，该结构主要包括三个部分：基于多模干涉耦合器的模式转换分离结构、π/2相移结构和基于多模干涉耦合器的3dB耦合器结构。在所述的π/2相移结构中，通过调谐波导芯层厚度，使在波导中传输模式的相移发生变化，当波导的长度为某一特定值时，其相移变化达到π/2。该模式复用/解复用器结构具有结构紧凑、器件尺寸小、信道带宽较大、插入损耗较低、通道串扰较低的优势，且其工艺制作简单，制作容差较大，非常适合于与半导体激光器、调制器、放大器、探测器等器件的单片集成，是研究基于模分复用技术的单片集成少模光通信收发模块的关键器件。 |
| 公开日期 | 2015-09-16 |
| 申请日期 | 2015-06-23 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/85922]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郭菲,陆丹,张瑞康,等. 基于多模干涉耦合器的InP基模分复用/解复用器结构. CN104914506A. 2015-09-16. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论