同步辐射光电离质谱检测氟原子在二氧化硅表面反应产物

	同步辐射光电离质谱检测氟原子在二氧化硅表面反应产物
刊名	质谱学报
	2020
卷号	041
关键词	真空紫外光电离质谱同步辐射微波放电氟原子二氧化硅电离能
ISSN号	1004-2997
其他题名	Reaction Products of F Atoms on the Surface of Silicon Dioxide Probed by Synchrotron Photoionization Mass Spectrometry
英文摘要	采用微波放电等离子体源产生高密度F原子,结合同步辐射真空紫外光电离质谱全面检测F原子在二氧化硅表面刻蚀反应的产物,并探究其反应机理。通过扫描同步辐射光子能量,获得具有特定质量选择的离子光电离效率谱,测量了反应产物的电离能及碎片离子的出现势等基本参数;同时结合量子化学理论计算质谱中离子的来源,即对光电离和光解离过程进行了区分。结果表明,F原子在二氧化硅表面会反应生成一系列的氟氧硅化合物(SixOyFz),主要包括SiF4、SiF 3OSiF 3和SiFOSiF 2OF等,质谱中观察到的SiF3^+、SiF3OSiF2^+等离子信号来源于其对应母体离子的解离碎片。实验测得SiF 4的电离能为15.85 eV,SiF3^+和SiF 3OSiF2^+碎片离子的出现势分别为16.20、16.40 eV。该方法实现了高效检测F原子刻蚀反应的产物,由于F原子具有较高的化学反应活性,该实验装置也可用于开展气相自由基反应研究,模拟大气化学和燃烧火焰等体系中的化学反应过程。
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:6726292
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/68123]
专题	中国科学院合肥物质科学研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	. 同步辐射光电离质谱检测氟原子在二氧化硅表面反应产物[J]. 质谱学报,2020,041.
APA	(2020).同步辐射光电离质谱检测氟原子在二氧化硅表面反应产物.质谱学报,041.
MLA	"同步辐射光电离质谱检测氟原子在二氧化硅表面反应产物".质谱学报 041(2020).