高压熔体法生长高质量CdSe单晶

	高压熔体法生长高质量CdSe单晶
刊名	硅酸盐学报
	2018
卷号	046
关键词	硒化镉晶体高压熔体法分解率光学质量
ISSN号	0454-5648
其他题名	Growth of High Quality CdSe Single Crystal by High-Pressure Melt Method
英文摘要	CdSe晶体是一种性能优异的非线性光学材料，但目前常规的生长方法很难生长出高质量单晶。本实验在理论推导的基础上，采用高压熔体法生长出了较大尺寸的CdSe晶体棒，并采用X射线衍射仪、能谱分析仪、腐蚀坑观察、Fourier变换红外光谱仪对单晶性能进行表征。结果表明：高压熔体法生长的CdSe单晶组分接近理想化学计量比（CdSe0.989），且具备结构完整、位错密度小（10^4/cm^2）、结晶质量高（FWHM≤0.1°）、吸收系数低（0.03cm^-1以内），有望用于非线性光学频率转换实验。
语种	中文
CSCD记录号	CSCD:6218166
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.hfcas.ac.cn:8080/handle/334002/60688]
专题	中国科学院合肥物质科学研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	. 高压熔体法生长高质量CdSe单晶[J]. 硅酸盐学报,2018,046.
APA	(2018).高压熔体法生长高质量CdSe单晶.硅酸盐学报,046.
MLA	"高压熔体法生长高质量CdSe单晶".硅酸盐学报 046(2018).