一种可扩展的三维半导体器件并行数值模拟算法

	一种可扩展的三维半导体器件并行数值模拟算法
	成杰; 张林波
刊名	计算物理
	2012
卷号	029 期号:003 页码:439
ISSN号	1001-246X
英文摘要	在基于漂移-扩散模型的三维半导体器件数值模拟中,通过有限体积法进行数值离散,采用完全耦合的牛顿迭代求解非线性代数方程组,并使用基于代数多重网格预条件子的GMRES方法求解牛顿迭代中的线性方程组,构造一种稳健且高度可扩展的非结构四面体网格上求解半导体方程的并行算法.基于PHG平台实现该算法的并行计算程序,并对PN结和MOS场效应晶体管等问题进行了最大网格规模达到5亿单元、最大并行规模达到1 024进程的大规模数值模拟实验,结果表明,该算法计算效率高,可扩展性好.
语种	英语
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.amss.ac.cn/handle/2S8OKBNM/49830]
专题	计算数学与科学工程计算研究所
作者单位	中国科学院数学与系统科学研究院
推荐引用方式 GB/T 7714	成杰,张林波. 一种可扩展的三维半导体器件并行数值模拟算法[J]. 计算物理,2012,029(003):439.
APA	成杰,&张林波.(2012).一种可扩展的三维半导体器件并行数值模拟算法.计算物理,029(003),439.
MLA	成杰,et al."一种可扩展的三维半导体器件并行数值模拟算法".计算物理 029.003(2012):439.