校准射电源的VLBA成图和结构效应分析

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题名	校准射电源的VLBA成图和结构效应分析
作者	何旋
答辩日期	2018-06
文献子类	硕士
授予单位	中国科学院研究生院
授予地点	上海
导师	舒逢春
关键词	Vlba，射电源，成图，结构效应，结构指数
其他题名	Imaging calibrators with the VLBA and analysis of source structure effects
学位专业	仪器仪表工程
英文摘要	摘要校准射电源是开展高精度VLBI 天体测量、大地测量和深空导航的基础。在毫角秒尺度上，相当数量的校准射电源在空间中呈现出延展的结构，某些射电源存在数月尺度的结构变化。开展校准射电源的天体测量巡天观测，可以获得它们的精确位置、图像和流量密度等信息。根据校准射电源的图像结果建模并且量化射电源的结构对其时延的影响，对于相位参考校准源的选取、射电天球参考架的改进和射电-光学参考架的连接具有重要意义。本文的主要工作包括以下三个方面：（1）利用DIFMAP 软件对VLBA 天体测量观测项目（BS250 和BG219I）的目标射电源进行自动批量成图。人工检查自动批量成图的结果，针对那些图像有明显旁瓣、射电源结构成分不确定或者图像均方根噪声明显偏高的射电源重新进行人工成图。（2）编写了射电源结构时延计算程序，并利用Fey1997 年发表的文章中部分射电源相同的数据，计算获得这些射电源的结构时延与Fey 的结果进行对比，结构时延的结果误差基本在10% 以内。（3）利用射电源结构时延计算软件，完成了BS250 和BG219I 在S/X 双波段均成功检测到的共403 颗目标源的结构时延的计算，获得了这些目标源的在每条基线上的结构时延，以及每颗射电源结构时延的最大值、平均值、均方根、中位数和结构指数。同时，计算获得了每颗射电源的“致密度”和谱指数。根据上述工作，射电源可见度数据的自动批量成图结果中，约有40% 的射电源需要人工重新成图。这种射电源成图方式，在提高成图工作效率的同时，确保了所有射电源的成图结果的正确性。根据这403 颗射电源的结构效应的研究，无论是BG219I 观测中的强校准源还是BS250 观测中的微弱校准源，都有 50% 左右的射电源的结构指数大于3.0。射电源的结构指数越大，即射电源结构越延展，射电源的“致密度”就越小。射电源的谱指数小于-0.8 时，射电源通常不够致密。
语种	中文
学科主题	射电天文学其他学科
内容类型	学位论文
源URL	[http://119.78.226.72/handle/331011/29846]
专题	上海天文台_中国科学院上海天文台学位论文
作者单位	中国科学院上海天文台
推荐引用方式 GB/T 7714	何旋. 校准射电源的VLBA成图和结构效应分析[D]. 上海. 中国科学院研究生院. 2018.