ZnO 自整流忆阻器及其神经突触行为

	ZnO 自整流忆阻器及其神经突触行为
	王洋 ; 焦雷 ; 赵飞文 ; 李惠 ; 郑秀 ; 曹鸿涛 ; 梁凌燕 ; 张洪亮 ; 高俊华 ; 诸葛飞
刊名	材料科学与工程学报
	2018-10-20
卷号	36 期号:05 页码:726-729+857
英文摘要	Ti/ZnO/AZO/Pt忆阻器件表现出无Forming及自整流的非易失双极性忆阻特性。I-V曲线的拟合以及变温测试结果表明,忆阻行为属于纯电子效应,器件的导电行为来源于空间电荷限制电流或肖特基发射机理。在此基础上模拟了生物神经突触的长程可塑性以及学习-遗忘-再学习经验式行为。
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.nimte.ac.cn/handle/174433/17762]
专题	2019专题
作者单位	1.江苏科技大学材料科学与工程学院 2.江苏大学材料科学与工程学院 3.江苏星源电站冶金设备制造有限公司 4.中国科学院宁波材料技术与工程研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王洋,焦雷,赵飞文,等. ZnO 自整流忆阻器及其神经突触行为[J]. 材料科学与工程学报,2018,36(05):726-729+857.
APA	王洋.,焦雷.,赵飞文.,李惠.,郑秀.,...&诸葛飞.(2018).ZnO 自整流忆阻器及其神经突触行为.材料科学与工程学报,36(05),726-729+857.
MLA	王洋,et al."ZnO 自整流忆阻器及其神经突触行为".材料科学与工程学报 36.05(2018):726-729+857.