| 半導体レーザ装置 | |
| 秋永 富士夫 | |
| 2000-12-15 | |
| 著作权人 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 专利号 | JP2000349385A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ装置において、ヒートシンクへの実装面と半田材との密着を良くし、安定した出力を得る。 【解決手段】 n-GaAs基板1上に、n-Ga1-z1Alz1As下部クラッド層2、nあるいはi-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2下部光導波層3、Inx3Ga1-x3As1-y3Py3量子井戸活性層4、pあるいはi-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2上部光導波層5、p-Ga1-z1Alz1As上部クラッド層6、p-GaAsコンタクト層7を形成する。上記2つの光導波層はGaAs基板1に格子整合する組成とする。p側電極8を形成し、次に基板1の研磨を行い、n側電極9を形成する。その後、試料を劈開して形成した共振器面に高反射率コート11、低反射率コート12を行う。次に、p側電極8上に密着改善層としてAuの薄膜層10を形成する。その後、チップ化して半導体レーザ素子を形成し、ヒートシンク14上に半田13を介して実装する。 |
| 公开日期 | 2000-12-15 |
| 申请日期 | 1999-06-02 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/78637]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 秋永 富士夫. 半導体レーザ装置. JP2000349385A. 2000-12-15. |
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