| Semiconductor light emission device | |
| NAKAJIMA KAZUO; AKITA KENZOU; KOTANI TAKESHI | |
| 1977-04-01 | |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 专利号 | JP1977042389A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Semiconductor light emission device |
| 英文摘要 | PURPOSE:A mixed crystal clad layer of AlGalnAs is formed on both sides of an active layer composed of GalnAs or AlGalnAs mixed crysta, whereby energy gap is controlled to the finest vlaue and good light closing is made possible. |
| 公开日期 | 1977-04-01 |
| 申请日期 | 1975-09-30 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77746]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | NAKAJIMA KAZUO,AKITA KENZOU,KOTANI TAKESHI. Semiconductor light emission device. JP1977042389A. 1977-04-01. |
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