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| ITO KUNIO; INOE MORIO | |
| 1982-12-21 | |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 专利号 | JP1982060785B2 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | - |
| 英文摘要 | PURPOSE:To periodically form a metal for forming a Schottky barrier for a semiconductor that becomes an active region on the surface of said semiconductor, thereby obtaining a distribution feedback type laser which is easy to manufacture and has superior oscillation characteristics. |
| 公开日期 | 1982-12-21 |
| 申请日期 | 1975-10-13 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76347]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ITO KUNIO,INOE MORIO. -. JP1982060785B2. 1982-12-21. |
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