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	半导体激光器
	斯文·格哈德; 艾尔弗雷德·莱尔; 克莱门斯·菲尔海利希; 安德烈亚斯·莱夫勒; 克里斯托夫·艾克勒
	2018-06-08
著作权人	欧司朗光电半导体有限公司
专利号	CN108141010A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	半导体激光器
英文摘要	半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有n型传导的n型区域(21)、p型传导的p型区域(23)和位于其之间的用于产生激光辐射的有源区(22)。为了注入电流，直接在p型区域(23)处存在由透明导电氧化物构成的对于激光辐射可穿透的p型接触层(3)。直接在p型接触层(3)处安置有导电的且金属的p型接触结构(4)。p型接触层(3)是外罩层的一部分，使得激光辐射在半导体激光器(1)运行时常规地进入到p型接触层(3)中。半导体层序列(2)的两个棱面(25)形成用于激光辐射的谐振器端面。在直接在棱面(25)中的至少一个棱面处的至少一个电流保护区域(5)中，禁止到p型区域(23)中的电流注入。电流保护区域在垂直于所属的棱面(25)的方向上的扩展为至少0.5μm和最高100μm，并且附加地为用于激光辐射的谐振器长度的最高20％。
公开日期	2018-06-08
申请日期	2016-09-27
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/73381]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	欧司朗光电半导体有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	斯文·格哈德,艾尔弗雷德·莱尔,克莱门斯·菲尔海利希,等. 半导体激光器. CN108141010A. 2018-06-08.

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