| 다파장 반도체 레이저 제조방법 | |
| LEE,SANGDON | |
| 2005-12-29 | |
| 著作权人 | 삼성전기주식회사 |
| 专利号 | KR1020050123424A |
| 国家 | 韩国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 다파장 반도체 레이저 제조방법 |
| 英文摘要 | 본 발명은 다파장 반도체 레이저 제조방법에 관한 것으로서, 질화물 단결정 성장을 위한 기판 상에 제1 반도체 레이저를위한 질화물 에피택셜층을 형성하는 단계와, 상기 기판으로부터 상기 질화물 에피택셜층을 분리하는 단계와, 상기 질화물에피택셜층을 제1 도전형 기판 상에 접합시키는 단계와, 상기 질화물 에피택셜층을 선택적으로 제거하여 제1 반도체 레이저 구조를 형성하는 단계와, 상기 노출된 제1 도전형 기판의 일부상면에 제2 반도체 레이저 구조 및 제3 반도체 레이저 구조를 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 다파장 반도체 레이저 제조방법을 제공한다. 도 2k 색인어 다파장 반도체 레이저(multi-wavelength semiconductor laser), 사파이어기판(sapphire substrate), 질화물 반도체(nitride semiconductor) |
| 公开日期 | 2005-12-29 |
| 申请日期 | 2004-06-25 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/67404]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 삼성전기주식회사 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | LEE,SANGDON. 다파장 반도체 레이저 제조방법. KR1020050123424A. 2005-12-29. |
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