QQ客服 官方微博 反馈留言

	Semiconductor layer device
	YOSHIDA TOMOHIKO; TAKIGUCHI HARUHISA; KANEIWA SHINJI; MATSUI KANEKI
	1986-08-14
著作权人	SHARP CORP
专利号	JP1986182295A
国家	日本
文献子类	发明申请
其他题名	Semiconductor layer device
英文摘要	PURPOSE:To enable an oscillation at a single longitudinal mode on nonstationary operation by applying a reverse bias to a junction section between a first clad layer and a block layer constituting a semiconductor laser device having double hetero-structure and changing a gain or an absorption coefficient at a period in the same extent as an optical wavelength to the direction of propagation of beams. CONSTITUTION:An N-type InP buffer layer 3, an InxGa1-xAsyP1-y (0.47
公开日期	1986-08-14
申请日期	1985-02-07
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65919]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SHARP CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	YOSHIDA TOMOHIKO,TAKIGUCHI HARUHISA,KANEIWA SHINJI,et al. Semiconductor layer device. JP1986182295A. 1986-08-14.

个性服务

查看访问统计

相关权益政策

暂无数据

收藏/分享

除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。