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	周期性金属接触增益耦合分布反馈半导体激光器
	陈泳屹; 贾鹏; 秦莉; 宁永强; 王立军
	2016-07-27
著作权人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
专利号	CN105811242A
国家	中国
文献子类	发明申请
其他题名	周期性金属接触增益耦合分布反馈半导体激光器
英文摘要	周期性金属接触增益耦合分布反馈半导体激光器属于半导体激光芯片技术领域，目的在于解决现有技术存在的分布反馈半导体激光器制备困难、成本高昂问题。本发明在半导体激光芯片上制作周期性金属接触；可以通过刻蚀、氧化、载流子注入等手段在周期性金属接触之间制作侧向电流限制区，也可以在芯片端面制作高反膜或减反膜。本发明可以实现高功率窄线宽的半导体激光单管或者线阵输出，也可作为种子光源应用于其他半导体激光器，或产生双波长或者频率梳激射的半导体激光，或用于进行非线性光学效应，也可以获得波长稳定的半导体激光泵浦光源。
公开日期	2016-07-27
申请日期	2016-04-28
状态	申请中
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65451]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	陈泳屹,贾鹏,秦莉,等. 周期性金属接触增益耦合分布反馈半导体激光器. CN105811242A. 2016-07-27.

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