| 氮化物类半导体激光元件和光拾取装置 | |
| 龟山真吾 | |
| 2010-06-16 | |
| 著作权人 | 三洋电机株式会社 |
| 专利号 | CN101741013A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物类半导体激光元件和光拾取装置 |
| 英文摘要 | 本发明提供氮化物类半导体激光元件和光拾取装置。氮化物类半导体激光元件具备端面覆盖膜，该端面覆盖膜包括形成于氮化物类半导体层的光反射侧端面上的变质防止层、和形成于变质防止层上的反射率控制层。而且，反射率控制层由交替地层叠的高折射率层和低折射率层构成，变质防止层叠层有两层以上的层，并且各层分别利用由氮化物、氧化物或氮氧化物形成的电介质层构成。另外，变质防止层具有与光反射侧端面相接的由氮化物构成的第一层，构成变质防止层的各层的厚度小于高折射率层的厚度，并且小于低折射率层的厚度。 |
| 公开日期 | 2010-06-16 |
| 申请日期 | 2009-11-20 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65402]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 龟山真吾. 氮化物类半导体激光元件和光拾取装置. CN101741013A. 2010-06-16. |
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