基于外腔式自反馈的窄线宽半导体激光器
李召松; 陆丹; 贺一鸣; 王嘉琪; 周旭亮; 潘教青
2017-09-19
著作权人中国科学院半导体研究所
专利号CN107181166A
国家中国
文献子类发明申请
其他题名基于外腔式自反馈的窄线宽半导体激光器
英文摘要本发明公开了一种外腔式自反馈窄线宽半导体激光器,包括:一半导体增益芯片,用于产生光增益;一布拉格光纤光栅,布拉格光纤光栅与增益芯片之间通过直接耦合的方式连接,用于对增益芯片产生的光进行反馈;一光分束器,用于对光进行一定比例的分束;一光环形器,光环形器与布拉格光纤光栅或光分束器通过光纤耦合的方式连接,用于对从布拉格光纤光栅输出的光进行外部自反馈;一可调谐光衰减器,位于光环形器的反馈环路内,用于对反馈强度的衰减进行连续调谐。
公开日期2017-09-19
申请日期2017-06-30
状态失效
内容类型专利
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65091]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
李召松,陆丹,贺一鸣,等. 基于外腔式自反馈的窄线宽半导体激光器. CN107181166A. 2017-09-19.
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