| 背冷式高功率半导体激光器微通道热沉结构及制备方法 | |
| 尧舜; 王立军; 刘云; 张彪 | |
| 2005-09-21 | |
| 著作权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 专利号 | CN1671019A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 背冷式高功率半导体激光器微通道热沉结构及制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及背冷式高功率半导体激光器微通道热沉结构包括：微通道部分1和进出水底座2。方法是用高导热金属材料加工微通道边框，由半圆柱型槽和微通道区构成的微通道胚体，用高导热金属材料制备进出水底座包括互通的管道和小通道区，将微通道胚体，微通道边框和进出水底座组装。本发明微通道的侧壁与微通道顶壁为一体化结构，避免背景技术中分层结构连接时引入的附加热阻提高了器件整体散热能力；采用水流90。折转进入微通道区时，以圆弧型切入微通道区方式，大大降低了水流局部压降，提高了热沉整体性能；热沉整体结构连接过程中，涉及到热沉微通道区域的焊接只有一个微通道底面，大大降低了微通道结构受损的几率，简化了工艺难度和制作成本。 |
| 公开日期 | 2005-09-21 |
| 申请日期 | 2004-05-24 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64975]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 尧舜,王立军,刘云,等. 背冷式高功率半导体激光器微通道热沉结构及制备方法. CN1671019A. 2005-09-21. |
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