| GaInNAsを有する半導体素子の作製方法、該作製方法を用いて作製した半導体素子、および該半導体素子を用いた光通信システム | |
| 近藤 正彦; 北谷 健; 中原 宏治 | |
| 1999-03-30 | |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 专利号 | JP1999087848A |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | GaInNAsを有する半導体素子の作製方法、該作製方法を用いて作製した半導体素子、および該半導体素子を用いた光通信システム |
| 英文摘要 | 【課題】 良好な結晶性を有するGaInNAsを用いた半導体素子の作製方法、および該作製方法を用いて作製した半導体素子、ならびに該半導体素子を用いた光通信システムを提供すること。 【解決手段】 基板結晶上にGaInNAsを350℃から490℃の温度範囲で結晶成長させて半導体レーザなどの半導体素子を作製する。また、この半導体素子を用いて光通信システムを作製する。なお、結晶成長方法としては、分子線エピタキシー(MBE)法または化学線エピタキシー(CBE)法が好ましい。図は半導体レーザの例であり、1は基板、2はバッファ層、3と5はクラッド層、4は障壁層10および12とGaInNAs井戸層11からなる活性層、6はキャップ層、7は電流狭窄層、8と9は電極を示している。 |
| 公开日期 | 1999-03-30 |
| 申请日期 | 1997-09-02 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64607]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 近藤 正彦,北谷 健,中原 宏治. GaInNAsを有する半導体素子の作製方法、該作製方法を用いて作製した半導体素子、および該半導体素子を用いた光通信システム. JP1999087848A. 1999-03-30. |
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