| 一种氮化铝多孔陶瓷及其制备方法 | |
| 杨建锋; 鲁元; 陆伟忠; 刘荣臻; 乔冠军; 王红洁 | |
| 2010-06-16 | |
| 著作权人 | 西安交通大学 |
| 专利号 | CN101734923A |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种氮化铝多孔陶瓷及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种氮化铝多孔陶瓷及其制备方法，按重量百分比，包括下述组分：氧化铝60～72％、烧结助剂1～10％、碳黑18～30％、氮化铝晶种1～10％，将上述组分湿法球磨混合，得到混合粉末，然后模压成形，将上述成形体放入气氛炉中，在氮气压力高于1个大气压下加热到1650～1750℃保温1～4小时，即获得烧结体。本发明使用低成本的氧化铝和碳黑为原料制备高气孔率的氮化铝多孔陶瓷，可以克服传统方法制备氮化铝多孔陶瓷工艺复杂，成本过高的缺点，在高温电子器件、微波集成电路、混合集成电路、电力电子模块、激光二极管等光电领域，以及金属基复合材料的增强相中得到广泛应用。 |
| 公开日期 | 2010-06-16 |
| 申请日期 | 2009-12-04 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63844]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西安交通大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨建锋,鲁元,陆伟忠,等. 一种氮化铝多孔陶瓷及其制备方法. CN101734923A. 2010-06-16. |
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