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	Substrate technology for quantum dot lasers integrated on silicon
	SIRIANI, DOMINIC F.; ANDERSON, SEAN P.; PATEL, VIPULKUMAR
	2019-09-05
著作权人	CISCO TECHNOLOGY, INC.
专利号	US20190273361A1
国家	美国
文献子类	发明申请
其他题名	Substrate technology for quantum dot lasers integrated on silicon
英文摘要	A method of creating a laser, comprising: bonding a III-V semiconductor material with a silicon substrate; removing excess III-V semiconductor material bonded with the substrate to leave a III-V semiconductor material base layer of a predetermined thickness bonded with the substrate; and after removing the excess III-V semiconductor material, epitaxially growing at least one layer on the III-V semiconductor material base layer, the at least one layer comprising a quantum dot layer.
公开日期	2019-09-05
申请日期	2018-03-02
状态	授权
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/57702]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	CISCO TECHNOLOGY, INC.
推荐引用方式 GB/T 7714	SIRIANI, DOMINIC F.,ANDERSON, SEAN P.,PATEL, VIPULKUMAR. Substrate technology for quantum dot lasers integrated on silicon. US20190273361A1. 2019-09-05.

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